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稀土离子掺入AlN形成的新型材料将稀土离子优良的光学、磁学性质与AlN优异的电学性质集于一体,在探测器件、激光器、照明显示器件以及稀磁半导体等众多领域具有光明的应用前景和较高的商业价值,因此成为目前研究的热门材料之一。本文采用HVPE方法在蓝宝石衬底上制备厚度约290 nm的AlN薄膜,随后采用离子注入的手段将Eu、Tm、Pr和Er注入AlN层,制备出一系列稀土离子单掺、双掺以及三掺AlN的样品。采用EDX检测样品的成分,以Raman和XRD为结构表征手段,CL和PL为光学表征手段,主要研究离子注入