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SbTe,InSbTe,GeSbTe相变存储材料的光电性质比较

来源 :南京大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mucao_xkhl

【作 者】

：

祝长华 

【出 处】

：

南京大学

【发表日期】

：

2018年09期

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