【摘 要】
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本文采用阴极电沉积技术,在TiO2/Al2O3膜上沉积Cu2O,将n型半导体TiO2和p型半导体Cu2O复合,制备出了Cu2O/TiO2异质结复合薄膜。以苯酚为模拟污染物,研究了复合薄膜的制备条件
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本文采用阴极电沉积技术,在TiO2/Al2O3膜上沉积Cu2O,将n型半导体TiO2和p型半导体Cu2O复合,制备出了Cu2O/TiO2异质结复合薄膜。以苯酚为模拟污染物,研究了复合薄膜的制备条件、太阳光下的光催化活性和光电催化活性,对其影响因素进行了讨论;分别对Cu2O的沉积机理以及Cu2O/TiO2光催化降解苯酚机理进行了初步探讨;并对光催化与光电催化过程作了动力学研究。利用X射线粉末衍射分析（XRD）、扫描电镜分析（SEM）、X射线能谱分析（EDS）、紫外可见吸收光谱分析和交流阻抗测试（EIS）等测试手段对复合膜的微观结构和性能进行了研究。结果表明,Cu2O/TiO2复合薄膜的催化活性及光响应范围明显高于TiO2,且在电化学辅助条件下光催化反应更容易进行。
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