直流磁控溅射制备HfO_2薄膜及其光学性能研究

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氧化铪(HfO2)是一种性能优异的光电薄膜材料,它具有较高的硬度、良好的热稳定性以及较高的介电常数,在半导体行业被视为替代SiO2的理想材料。特别是作为光学材料,HfO2薄膜具有宽的带隙、较高的折射率、较大的硬度和抗激光损伤阈值以及在近紫外到红外波段具有良好的透过性能,成为目前制备高激光损伤阈值光学薄膜的优异材料而备受关注。本文用直流磁控溅射法在硅衬底和石英衬底上制备了HfO2薄膜,并研究了制备工艺如衬底温度、溅射气压和氧氩比对其结构、沉积速率、成分、光学特性的影响。主要研究内容和结果如
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