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A1N陶瓷材料导热性能好、强度高、介电常数低,广泛应用于新一代半导体基片和电子器件封装材料。但是A1N粉易水解,在生产、运输和储存过程中可能混入难去除的氧杂质,A1N陶瓷烧结致密度和导热性能与氧杂质有重要的关系。论文通过有机酸包裹法改善A1N粉的防水解性能,通过添加CaO/Y203/C助烧剂提高A1N陶瓷的烧结致密度和热导率等性能。论文分别以油酸和棕榈酸为表面改性剂,采用机械混合法,制备出了改性A1N粉,详细研究了改性A1N粉在不同温度下的水解情况。研究发现:用棕榈酸和吐温80包覆处理过的A1N粉防水解性能明显优于用油酸和吐温80包覆处理过的A1N粉的防水解性能,用棕榈酸和吐温80包覆处理过的A1N粉可以在100℃水中稳定存在10 h以上。论文用纯度为98.96 wt.%的A1N粉作为原料,采用无压烧结法,制备了热导率为113.5 W/(m·K)的A1N陶瓷,详细研究了添加不同助烧剂(CaO、Y203、CaO-Y203、CaO-Y203-C)对A1N陶瓷烧成密度和热导率的影响。研究发现:在烧成温度低于1750℃时,添加助烧剂的A1N陶瓷密度远低于理论密度。当烧成温度为1800℃时,添加CYC A(CaO-Y203-C)三元助烧剂的A1N陶瓷密度接近于理论密度,高于添加其他烧结助剂的A1N陶瓷;且添加三元含C助烧剂的A1N陶瓷中第二相含量和氧含量明显少于添加二元或一元助烧剂的A1N陶瓷,少量的碳可以去除A1N中晶格氧杂质,并有助于添加物与A1N反应生成的第二相以气体的形式排出。以三元组合CYCA(CaO-Y203-C)作为助烧剂,采用热压烧结法,制备出了热导率优良的A1N陶瓷,详细研究了三元助烧剂CYCA(CaO-Y203-C)中CaO含量(0.5 wt.%-1.5 wt.%)变化对A1N陶瓷体积密度和热导性能的影响。研究发现:当CaO含量为0.5 wt.%-1wt.%时,密度接近于理论密度,A1N陶瓷的晶粒尺寸随着烧成温度的升高而呈现长大的趋势,当烧成温度为1800℃时,热导率达到了 180 W/(m·K)以上;当CaO含量为1.5 wt.%时,密度远小于理论密度,热导率较低,这是由于CaO添加量过多,液相粘度过大,液相流动困难,阻碍了 A1N陶瓷的致密化进程,使得A1N陶瓷很难烧结致密。