近年来,无线通信产业的迅猛发展推动了集成电路朝着超高频的方向发展。相应地,超高频集成电路中的关键技术毫米波亚毫米波器件的精确建模成为人们研究的热点。InPHBT晶体管具有迁移率高、射频输出功率高、击穿电压高、相位噪声低、功率附加效率高以及集成能力高的特点,非常适合制作宽频带和大功率电路,在无线通信、移动互联和军事电子装备等领域具有广阔地应用前景。InP HBT器件特征分析及建模与InP工艺生产线有相辅相成的关系,精确的模型可以预测器件本身的问题,从而优化生产工艺,而工艺的改进则会提高器件性能;其次,精确的器件模型又是InPHBT电路设计的重要基础。本文主要从以下几个方面开展研究:(1)完成THz频段InP HBT器件在片测试结构建模。首先,对TRL结构的单侧GSG pad结构建模。然后,针对GSG pad的开路和短路结构分别建模,开路和短路模型拓扑结构和模型参数提取方法在0.1-325 GHz频段得到验证。(2)为了获得准确的小信号模型,本征区域的模型拓扑结构采用π型等效电路,使之更符合InPHBT器件的物理结构。模型中使用了 15个元素,以实现模型拓扑的简单性和准确性之间的折中。模型在0.1-325 GHz频段内有很好的拟合。(3)以实测数据为基础,对VBIC、HICUM和AgilentHBT三种模型分别对DC和RF曲线的拟合精度进行比较,选取精度最高的模型。利用实验所得高精度AgilentHBT模型完成75-110 GHz和220-325 GHz两个频段的建模。基于所得模型,完成功率放大器设计并流片,电路仿真和测试性能良好。