该文系统地研究了As<,2>S<,3>,As<,2>Se<,3>,GeS<,2>,GeSe<,2>,Ge<,20>As<,25>S<,55>,Ge<,20>As<,25>Se<,55>,Ge<,10>As<,40>S<,20>Se<,30>七个体系硫系非晶半导体薄膜与光相互作用中所出现的光致暗化,光致漂白,光致结晶效应,并且首次利用飞秒超外差光克尔效应法(OHD-OKE)测出了薄膜的三阶非线性极化率x<(3)>的实部、虚部值及其符号和非线性响应时间.经过514.5nm的氩离子激光辐照或退火处理后,在As<,2>S<,3>,As<,2>Se<,3>和Ge<,10>As<,40>S<,20>Se<,30>三个体系的硫系非晶半导体薄膜中观察到光致暗化效应,光学吸收边发生红移,并且红移的大小是随着辐照激光功率的增大和光照时间的延长而增加的,并最后达到饱和.光致光学吸收边的红移分为可逆和不可逆两个过程,在预先退火处理的薄膜中是可逆的,即通过再退火光学吸收边可以恢复到原来的位置.硫系非晶半导体薄膜的光致暗化效应的发生与薄膜的光致结构变化有关,利用这种光致暗化效应的可逆性可以设计出新型的光存储材料.经过514.5nm的氩离子激光辐照或退火处理后,在GeS<,2>,GeSe<,2>,Ge<,20>As<,25>S<,55>,Ge<,20>As<,25>2Se<,55>,四个体系硫系非晶半导体薄膜中,观察到光学吸收边发生绿移,即发生了光致漂白效应,这是与光致暗化效应相反的一种效应.其中,光学吸收边绿移值的大小也是随着辐照激光功率的增大和光照时间的延长而增加的,并最后达到饱和.硫系非晶半导体薄膜中光致漂白效应的发生是由于光致结构变化所致,包括可逆和不可逆两个过程,在先退火处理的薄膜中是可逆的,即进行再退火光学吸收边可以恢复到原来的位置,利用这种可逆性也可以设计出新型的光存储材料.