空间太阳电池玻璃盖板增透膜MgF2的防氧化、防静电研究

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MgF2薄膜由于其较低的折射率和优良的透光性在空间太阳能电池玻璃盖板中用作增透膜。由于空间环境复杂,MgF2薄膜在多种氧粒子作用下光学性能会出现明显下降,使其在低轨长寿命飞行器中的应用受到挑战;同时,由于其绝缘性在空间带电粒子的长期作用下会出现不均匀充放电现象,影响器件的使用性能。为此,本文研究了氧离子对MgF2薄膜光学性能的影响,并通过在表面制备多种氧化物达到提高MgF2系增透膜耐氧蚀性的目的;在MgF2薄膜表面制备了氧化铟锡(ITO)透明导电防静电薄膜,研究了氧离子后处理工艺对ITO薄膜光学及电学性能的影响,从微观机理上给予了深入分析。采用电子束蒸发技术制备了单层MgF2薄膜,并用氧离子束对薄膜进行轰击,平均透过率下降2至3个百分点。退火处理可在一定程度上提高薄膜的耐氧蚀性。通过对比氧离子与空间原子氧对聚酰亚胺薄膜的剥蚀率,建立了两者之间的对比关系。采用TFCale软件对经过氧蚀后的MgF2薄膜的结构进行了模拟分析。以SiO2\Al2O3、MgO三种氧化物为防护层,用TFCale光学设计软件设计了三类防氧蚀增透膜体系,其中SiO2\Al2O3两种氧化物有望作为MgF2防氧蚀层使用,设计的 31nmSiO2/65nmMgF2/64nmSiO2/glass、13nmSiO2/60nmMgF2/glass、15trrnmAl2O3/68nmMgF2/58nmAl2O3/glass 和 10nmAl2O3/58nmMgF2/glass 四种膜系的模拟平均透过率分别为93.6%、93.8%、93.9%和93.7%,很接近单层MgF2的光透过率。结构为10r10nAl2O3/58nm MgF2/glass的耐氧蚀性与单层MgF2薄膜相比提高了 40%。氧离子后处理会增加ITO薄膜的平均晶粒尺寸,提高薄膜的载流子浓度和迁移率,使电学性能增加,禁带宽度提高,紫外平均透过率提高19.7%,红外反射率提高约19.6%,同时折射率增加,可见光平均透过率’下降约1个百分点。用TFCale光学设计软件设计了不同结构的ITO/MgF2透明导电薄膜,并采用电子束蒸发制备,经500°℃退火处理,结构为150nmITO/100nmMgF2的膜系平均透过率为82.3%,方块电阻为79.9Q/□,计算电阻率为1.2×10-3Q·cm,光学、电学综合性能最好;经过氧离子后处理后,由于ITO薄膜厚度减小,使其平均透过率下降至71.1%,方块电阻为154Ω/□,但计算电阻率下降至2.4×10.4Ω·cm。
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