本论文系统研究了SiO2低介电常数微波介质材料的制备、相组成、微结构及微波介电性能,讨论了其微波介电性能随结构、微结构的变化规律。通过不同方法制备了致密的非晶SiO2块体材料,并研究了其微波介电性能。对于通过固相烧结法制备的SiO2非晶试样,其介电常数εr和Qf值都随着烧结时间的延长而升高,而谐振频率温度系数Tf则随烧结时间的延长而降低。在1100℃下烧结5小时制得的试样具有如下最佳微波介电性能：εr=3.72,Qf=44,300GHz,τf=-14.4 ppm/℃。而通过放电等离子烧结法和熔融法制备的Si02非晶试样则接近完全致密,并具有更好的微波介电性能：对于放电等离子烧结法,εr=3.90,Qf=63,500 GHz,τf=-5.7 ppm/℃；对于熔融法,εr=3.83,Qf=122,100 GHz,Tf=-8.3 ppm/℃。通过固相烧结法制备了致密的方石英相SiO2陶瓷。随着烧结温度的升高,其介电常数εr和谐振频率温度系数τf变化不大,而其Qf值则显著提高,这缘于随烧结温度升高而逐渐增大的晶粒尺寸。在1650℃下烧结3小时得到的方石英陶瓷试样具有如下最佳微波介电性能：εr=3.81,Qf=80,400 GHz,τf=-16.1ppm/℃。