【摘 要】
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本文详细讲述了一个在TSMC 65nm CMOS工艺下的低电压、低功耗、高精度带隙基准电压源电路模块的设计与实现。电路中设计了一个高增益、低噪声的运算放大器,用来提高基准源的
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本文详细讲述了一个在TSMC 65nm CMOS工艺下的低电压、低功耗、高精度带隙基准电压源电路模块的设计与实现。电路中设计了一个高增益、低噪声的运算放大器,用来提高基准源的精度并且降低失调电压和低频噪声的影响。版图设计中考虑了器件的匹配、噪声耦合、以及寄生影响等。整个带隙基准源电路在TSMC 65nm CMOS工艺下成功流片。工作电压范围可达到1.6v至2.0v,功耗小于150uW。工作温度在0℃至125℃时,温度系数小于10ppm/℃,输出电压稳定在1.24v至1.25v。电源抑制大于55dB。整个模块面积仅为0.03平方毫米。
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