随着二维过渡金属硫化物的广泛推动和研究热潮,硫化镓作为其中一种二维过渡金属硫化物,其特殊的结构和性质而受到研究者的关注,二维GaS是间接带隙半导体,禁带宽度为2.7333eV,具有光催化分解水的潜力。改变应力时二维GaS的光吸收效率、反射率和折射率也发生相应的变化,当应力处在拉伸状态时GaS价带下降低于O₂/H₂O氧化势,抑制了光解水反应进行。而应力处在压缩状态时价带下降而导带上升,增强了光催化分解水能力。但是压缩应力时二维GaS价带和导带增量不平衡,这样会导致光解水反应氧化和还原产物不均衡,光解水反应不能持续高效进行,这样会使光解水反应变慢。针对上述相应问题,为保证光解水反应能够有效地持续进行。我们加入S的同族元素Se、Te到二维GaS中形成GaSSe和GaSTe双面结构,通过改变原子之间的电子贡献来调整光学特性。优化选取K点网格为9×9×1晶胞获取稳定结构,并分别计算双面结构GaSSe和GaSTe的带隙、光吸收谱、能量谱、折射率和反射率等,结果表明双面结构体系比本征GaS的价带顶和导带低都下降了,使其相对于氢电极水的氧化和还原势差减小并保持相应的平衡,解决了本征GaS光解水反应中存在的不平衡问题,显著的提高了二维GaS光催化分解水的效率。