GIS中的隔离开关操作所产生的特快速暂态现象（VFT）会在GIS中产生特快速暂态过电压（VFTO），威胁着GIS设备的绝缘；另一方面也会引起特快速暂态电流(VFTC)，造成暂态磁场问题，从而影响二次设备的运行。因此，有必要对GIS中特快速暂态现象进行深入研究。　　本文首先综述了GIS中隔离开关操作产生内部电磁暂态的产生机理及其危害，总结了目前国内外相关研究中所采用的研究方法和研究结果现状；选择了计算机仿真的研究方法，介绍了相关仿真模型的建立原则，并深入地探究了已有的隔离开关燃弧模型，分析了现有各种模型各自的优势和不足之处。然后根据电弧发展的动态物理过程，提出一种改进型的隔离开关燃弧模型，用以更准确地模拟隔离开关操作过程中单次燃弧过程。利用该模型计算了1100kVGIS试验回路中隔离开关操作产生的VFTO，并比较了这种改进型电弧模型与传统电弧模型计算结果的差异，对比试验波形对改进型电弧模型进行了有效性验证。　　本文以某1100kVGIS为研究对象，结合改进型燃弧模型利用ATP-EMTP软件计算了该GIS在不同操作方式下的VFTO。仿真结果表明：单主变单出线运行方式下的VFTO幅值高于其他运行方式；相同运行方式下隔离开关的分闸操作所产生VFTO幅值高于合闸的情形。当隔离开关两端连接较长母线时，电压陡波的折、反射次数会明显增加，因而该隔离开关的操作产生过电压幅值将高于其他情形；VFTO幅值在距离隔离开关最近的断路器断口处达到最大，并随着与被操作的隔离开关距离的增大而降低；VFTO陡度会随着与被操作的隔离开关距离的增大而减小，在隔离开关负载侧达到最大值。　　最后，本文结合上述改进型电弧模型研究了特高压GIS中VFTC的特性，并分析了隔离开关加装阻尼电阻对VFTC的抑制作用。加装阻尼电阻后，VFTC的衰减速率大大提高，衰减持续时间显著变短。阻尼电阻对VFTC的幅值有一定的限制作用，VFTC的幅值随着阻尼电阻的增大而减小。但阻尼电阻的值并不是越大越好，当增大到约500Ω以后，VFTC幅值减小的幅度越来越小，即抑制作用越来越有限。