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GeSiC多元半导体微团簇的理论研究
GeSiC多元半导体微团簇的理论研究
来源 :山西大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qq38559322
【摘 要】
:
该论文采用密度泛涵分子轨道计算方法,系统地研究了三元半导体富碳微团簇的基态结构、红外振动、HOMO-LUMO能隙等电子性质,并首次系统地、用更为精确的二级微扰MP2理论方法,
【作 者】
:
庾弘朗
【机 构】
:
山西大学
【出 处】
:
山西大学
【发表日期】
:
2003年期
【关键词】
:
密度泛函理论
多元半导体微团簇
离域Π分子轨道
半导体材料
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该论文采用密度泛涵分子轨道计算方法,系统地研究了三元半导体富碳微团簇的基态结构、红外振动、HOMO-LUMO能隙等电子性质,并首次系统地、用更为精确的二级微扰MP2理论方法,提出在半导体三元及四元环体系中普遍存在芳香性.
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