高纯三甲基铝中痕量氧杂质的NMR定量研究

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三甲基铝是一种高纯金属有机化合物(简称MO源)。是制造高亮度发光二级管(LED)、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材料之一。在半导体照明、信息通讯、航天等领域都有着重要应用。还在“神州”飞船,“东4”大卫星平台系列卫星等航天器的太阳能电池上成功运用,彻底打破了国外在这一重要国防科技领域对我国的封锁。研究表明,三甲基铝MO源品质纯度要求非常高,其中的痕量杂质对半导体材料的电学、光学性能有着至关重要的影响,一旦达不到要求,则会对下游外延片生长带来致命的缺陷。因此,M
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