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宽禁带ZnO是一种新型的化合物半导体材料，具有六方纤锌矿结构，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV。ZnO薄膜以其优良的压电性能、透明导电性能等使其在太阳能电池、压电器件、表面声波器件、气敏元件等诸多领域得到广泛应用。 本文采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺在普通Na-Ca-Si玻璃基片上成功地制备出Al~(3+)掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶是以异丙醇为溶剂，醋酸锌为前驱体，二乙醇胺为稳定剂反应制得，用浸渍提拉法在基片上镀膜，经预烧、退火，最后形成均匀