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应用于Si基器件的表面应力调制结构
【摘 要】
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当芯片特征尺寸进入深亚微米后,一些特定的小尺寸制造工艺会往器件沟道区引入应力,这会对器件性能产生影响。因此,在小尺寸下如何有效调制器件沟道区应力将显得尤为重要。通过对器件沟道区应力的调制使得器件性能可以更为灵活的被调控,从而以满足特定的需求。本文结合目前主要的槽形应力调制技术,将其应用在两种不同类型的器件,研究其对器件力学特性及电学特性的影响。首先,针对小尺寸器件下为降低源漏接触电阻而采用NiSi
【机 构】
:
电子科技大学
【出 处】
:
电子科技大学
【发表日期】
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2019年12期
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