在无线通讯系统中，射频功率放大器作为无线收发机的核心模块，其性能的好坏，直接影响无线收发机的各种技术参数。随着工艺尺寸的不断减小，工作频率的不断提高，人们对功率放大器的输出功率、功率增益、线性度和效率等参数的要求也越来越高。这使得设计一个大功率、高增益、高线性度和高效率的功率放大器成为一个难点。在以往的功率放大器产品中，GaAs器件几乎垄断了所有市场。然而近几年来，SiGe HBT器件及电路设计技术渐渐的成为了研究的热点。SiGe HBT器件以其拥有与CMOS工艺相兼容性、易于集成、价格相对低廉以及三倍于GaAs器件的散热效率等优点，迅速的占领了中小功率级别的功率放大器市场，并正朝着逐步替代GaAs器件，成为主流功率放大器器件的方向发展。在对国内外功率放大器产品的详细调研的基础上，基于0.13μm SiGe HBT工艺，通过对功率单元进行了详细的分析和设计，包括功率管的尺寸选择和并联数目的优化，并着重讨论了功率管的热设计，设计了适用于三级级联电路的功率单元以及用于Loadpull测试的功率管测试结构版图。提出了一种包含三级放大的AB类射频功率放大器结构，并设计了相应的偏置电路、匹配电路以及ESD保护电路，其中偏置电路同时具有温度补偿特性和线性化作用。灵活的采用多种匹配网络结构，使功率传输特性达到最优。最终设计了一款应用于无线局域网（WLAN）、蓝牙等应用领域的射频功率放大器芯片。完成了功率放大器芯片PCB板级测试，得到了较好的性能。在2.4GHz频率处，S21为24.37dB，S11为-10.79dB，S22为-13.8dB，S12为-45.5dB，最大输出功率达到23dBm，满足工作要求。该射频功率放大器可应用于无限局域网（WLAN）、蓝牙等中小功率领域，并拥有广泛是市场前景。