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多层陶瓷电容器(MLCC)目前广泛应用于移动电话、计算机、数码相机及汽车等领域,它具有等效串联电阻(ESR)小,额定纹波电流大,品种规格齐全,尺寸小,无极性,漏电流小等特点。近年来,移动电子设备的小型化使得多层陶瓷电容器逐渐向低成本、小型化、大容量的方向发展。而研制具有高介电常数的材料,能够有效地提高MLCC的单位体积电容量,增大电容器的比容值,减小产品的体积,适应这一发展趋势。目前具有高介电常数的MLCC材料一般都是以BaTiO3材料为基础,很多学者都对其进行了广泛的研究并改善其性能,但是得到的介电常数一般为5000左右,难以得到进一步的提高和发展。为了提高材料的介电常数,开发新型的具有高介电常数,稳定的容温变化率的材料将具有重大的意义,值得进一步进行研究和探讨。本论文针对上述的问题,以稀土Nd掺杂SrTiO3体系为研究对象,深入研究了NdxSr1-xTiO3(x=0.08～0.14)陶瓷的结构和介电性能。经研究发现,随着稀土Nd的加入材料仍然维持立方相结构,晶胞参数减小,稀土Nd抑制了晶粒生长。介电性能发生了显著变化,随着掺杂量的增加,介电常数表现出先增大后减小的趋势并表现出“巨介电效应”,介电损耗值有所增加,在x=0.12时介电常数达到最大值15900,随着温度变化具有弛豫特性,材料具有电学非均匀性结构,正是这种电学非均匀性结构产生的界面弛豫使该体系具有巨介电常数效应。为进一步改善NST体系的性能,满足应用要求,选取Ndo.12Sr0.88Ti03体系进行添加改性,添加物分别为Mn02、Zr02、Si02,添加量为0.1～1.0wt%。添加Si体系在添加量为0.1wt%时性能比较优异：添加MnO2时介电常数和容温变化率都得到了优化,ε=35700,△C/C≤±15%的温度范围是-55℃～+200℃；添加Si02时介电损耗和容温变化率有所改善,ε=6650,tanδ=0.079,△C/C≤±15%的温度范围是-55℃-+100℃。