【摘 要】
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C/C复合材料主要的缺点是其抗氧化能力较弱,可采用基体改性的方法提高C/C复合材料的抗氧化能力.本研究用液态聚硅烷浸渍一定密度的C/C复合材料,对C/C复合材料进行改性,制备出
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C/C复合材料主要的缺点是其抗氧化能力较弱,可采用基体改性的方法提高C/C复合材料的抗氧化能力.本研究用液态聚硅烷浸渍一定密度的C/C复合材料,对C/C复合材料进行改性,制备出含有C和SiC双相基体的C/C-SiC复合材料.本研究的主要内容包括两方面:聚硅烷的制备及其交联、裂解研究;C/C-SiC复合材料的制备及其抗氧化研究.实验结果表明:1.可用超声Na缩合法可制备出液体的聚硅烷,反应可在相对较低的温度下进行,反应过程平稳,整个合成时间也较短(4~6小时).2.首次采用聚硅烷/二乙烯基苯体系作为浸渍剂.聚硅烷/二乙烯基苯体系在300℃交联较为适宜,因为在300℃下交联样品比在150℃下交联样品的凝胶含量更高,而且前者比后者的陶瓷产率更高.3.聚硅烷/二乙烯基苯的质量比为1/0.3的陶瓷产率最高,二乙烯基苯含量过高或过低均降低陶瓷产率;聚硅烷/二乙烯基苯的质量比为1/0.5样品的烧结产物的Si/C原子比接近于1/1,其XRD结果表明产物为β-SiC.烧结产物的微观结构较为致密.4.聚硅烷/二乙烯基苯对于C/C复合材料具有良好的浸渍性,可以浸渍到C/C复合材料的内部孔隙处.经过四次浸渍后密度由1.80g·cm<-3>提高到1.92g·cm<-3>.浸渍后所制得的C/C-SiC复合材料经过裂解和烧结处理后,含有碳纤维、气相沉积碳和SiC,还含有微量的SiO<,2>.5.C/C-SiC复合材料使C/C复合材料的氧化起始温度从500℃提高到700℃,从600℃~1300℃的等温氧化结果表明,C/C-SiC复合材料的氧化速率和氧化失重率小于C/C复合材料的氧化速率和氧化失重率.6.C/C-SiC与C/C复合材料相比具有更好的抗氧化烧蚀性能.
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