【摘 要】
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采用射频反应磁控溅射方法制备了氮化硼(BN)薄膜.沉积参数对六角氮化硼(h-BN)薄膜场发射有很大影响,归因于薄膜表面形貌的变化.对不同厚度的h-BN薄膜场发射特性进行了研究,发
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采用射频反应磁控溅射方法制备了氮化硼(BN)薄膜.沉积参数对六角氮化硼(h-BN)薄膜场发射有很大影响,归因于薄膜表面形貌的变化.对不同厚度的h-BN薄膜场发射特性进行了研究,发现100nm以下较薄的薄膜场发射特性较好,100nm以上最佳的场发射出现在150nm左右.基底材料是影响场发射特性的重要因素,沉积在Si尖上的h-BN薄膜比沉积在Si上的h-BN薄膜阈值电场明显降低;沉积在金刚石膜上的h-BN薄膜场发射特性明显优于金刚石膜.氢等离子体处理使h-BN薄膜表面产生负电子亲和势(NEA),氧等离子体处理ENA依然存在,高温退火使表面NEA消失.研究了立方氮化硼(c-BN)薄膜的场发射特性,得出含有立方相的BN薄膜的场发射特性优于不含立方相的BN薄膜,并且含量越高阈值电场越低、发射电流越大.最后根据实验结果和其他研究者的观点,利用能带弯曲理论分别分别对h-BN和c-BN薄膜的场发射机理进行了探讨.
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