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GaN基HEMT器件具有耐高压、耐高温以及抗辐射等特点,在功率器件领域应用广泛。尽管目前AlGaN/GaN HEMT器件的性能指标已达到较高水平,然而其可靠性仍然是影响其广泛应用的主要问题之一。特别是在高压大电流工作条件下,器件性能会逐步退化,究其本质在于器件内产生了明显的陷阱。这些陷阱的存在,不仅会引起电流崩塌、输出功率减小等问题,更严重的是会影响器件的长期寿命。基于此,本文针对AlGaN/Ga N HEMT器件在开态应力下的退化开展了深入研究。通过软件仿真,获得了缺陷对器件退化的影响规律;在此基础上,结合实验研究,探索在开态应力下影响器件退化的主要缺陷。本文首先研究了器件内不同缺陷对器件性能的影响规律。采用Sivalco仿真软件,分别对HEMT器件势垒层、缓冲层内的陷阱开展了仿真工作。通过改变陷阱的能级、浓度、时常数等参数,研究其对HEMT器件电特性退化的影响。仿真结果表明,在开态的条件下对HEMT器件的漏端施加高电压,会导致热载流子效应产生,进而引起器件退化。此外,相同条件下,缓冲层中的陷阱对HEMT器件的电特性影响更大。针对此现象,本文对比了场板结构器件与非场板结构器件的退化现象。研究结果进一步验证了热电子被缓冲层内陷阱所捕获的概率更大,且深能级的陷阱对HEMT器件电流崩塌的影响比浅能级影响要大。同时,器件在高场下的退化随着陷阱浓度的增加而增大,随着陷阱寿命的增加而减小。在此基础上,本来针对蓝宝石衬底上制备常规耗尽型HEMT器件开展了开态应力实验。实验中,分别改变栅压应力和漏压应力,对比应力前后HEMT器件电特性的变化情况,研究不同的栅压应力下和漏压应力对HEMT器件退化的影响。实验结果表明,在开态应力条件下,HEMT器件的会发生热电子效应,导致饱和漏电流降低,阈值电压正向漂移。此外,HEMT器件电特性的退化随着漏端电压的增大而增加,但随着栅端电压的增大会先增大后减小。最后,本文结合仿真与实验结果,可以发现开态应力下引起AlGaN/GaN HEMT器件电特性退化最主要的缺陷为器件缓冲层内深能级陷阱。本论文的相关研究结果可为后续高可靠HEMT器件的制备提供重要的技术指导。