【摘 要】
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碳化硅优异的物化特性突出了它作为气敏器件不二选择的地位。本文工作以瓦斯气体在Si C表面吸附为主要研究,其中除了选取CO分子和CH4分子为吸附气体外,还考虑CH3O分子在Si C(001)表面的吸附过程。使用Materials Studio软件对吸附过程进行数值模拟,选取Si C(001)-(2×2)、Si C(001)-(3×2)和Si C(001)-(3×3)三种超晶胞模型吸附CO分子和CH3
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碳化硅优异的物化特性突出了它作为气敏器件不二选择的地位。本文工作以瓦斯气体在Si C表面吸附为主要研究,其中除了选取CO分子和CH4分子为吸附气体外,还考虑CH3O分子在Si C(001)表面的吸附过程。使用Materials Studio软件对吸附过程进行数值模拟,选取Si C(001)-(2×2)、Si C(001)-(3×2)和Si C(001)-(3×3)三种超晶胞模型吸附CO分子和CH3O分子,比较CO分子和CH3O分子在这三种不同超晶胞结构的四种不同吸附位置,分析了最佳吸附位置、空间结构
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