高荧光性能的CdSe/CdS纳米晶制备和与硅基纳米管复合后的荧光性能研究

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纳米材料因为其特殊的物理化学性质引起研究者的广泛关注,在纳米材料的众多研究领域中,纳米组装体系的结构与性质研究成为现在研究的热点,金属和纳米管的异质结在光电转化,太阳能转化和光催化等方面的良好的特性使这方面的研究极具吸引力。纳米管的物理或者化学性能可以通过化学表面的修饰来完成。纳米管表面的功能化可以通过连接各种有机或者无机的材料来实现。而在另一方面,量子点纳米晶以其良好的光学性能被广泛应用于荧光共振能量转移中。所以两者的复合有特别重要的意义。其内容主要包括一下两个方面:1.在ODE体系中,进行了CdSe纳米晶的制备,以及基于CdSe纳米晶的CdSe/CdS的核壳结构的制备,研究了在一定温度下反应时间对CdSe纳米晶荧光性能的影响,并在此纳米晶基础上研究了反应温度对核壳结构的纳米晶的荧光性能的影响,对产物进行了TEM,PL光谱分析,结果表明了时间对CdSe的荧光性能有很大的影响,随着时间的推移纳米晶的特征峰在逐渐红移,而且核壳制备的实验中,温度对核壳结构的形成以及光学性质起决定性的作用。2.我们首先采用了自下而上的方法将纳米晶复合在硅基纳米管上面,因为自上而下的方法不容易控制生成物的尺寸和形貌,而未经二氧化硅修饰的纳米管复合上量子点以后则使量子点的荧光发生萃灭。然后我们采用了不同浓度的量子点和同量的纳米管进行复合,得出了不同的样品。并对产物TEM,PL光谱分析,结果表明硅基纳米管阻止了荧光的萃灭。
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