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当导体/聚合物复合材料在渗流阈值（fc）处获得高介电常数同时，介电损耗跃升到很高的水平。通过导体修饰的方式虽然能实现介电损耗的降低，但升高的fc与复杂的制备工艺不利于在尖端边缘领域的应用。因此，如何通过简易的制备工艺，制备兼具高介电常数、低介电损耗和低fc的导体/聚合物复合材料，仍是值得深入研究的课题。前人研究证明，相比单一相聚合物，多相多组分聚合物共混物具备迥异的形貌结构。然而，多相聚合物的相分离过程存在许多影响因素。合理调控这些影响因素的目的是进行复合材料的结构设计，进而制备具有低fc值与介电损耗的新型聚合物基高介电复合材料，尚存在严峻的挑战。 本研究主要内容包括：⑴以具有海岛结构的酚酞基聚芳醚酮（PEK-C）/双马来酰亚胺（BD）（PEK-C与BD的质量比为5/95）为基体，以多壁碳纳米管（CNT）为导体，采用简单热熔法，在不改变PEK-C/BD组分比的前提下，通过调节CNT的含量（0.1-0.3wt%），制备了新型导体/聚合物复合材料。随着CNT含量的递增，CNT/PEK-C/BD复合材料的相结构发生了由海岛到双连续再到海岛结构的转变；同时，CNT/PEK-C/BD复合材料相应地由绝缘体转变到半导体。当CNT含量为0.18wt%时，复合材料的介电常数高达70.2（100Hz），这是在如此低的导体含量下，所报道的导体/多相聚合物复合材料取得的最高介电常数，约为文献报道值的2-14倍；同时，0.18CNT/PEK-C/BD复合材料的介电损耗则仅为0.48（100Hz）。此外，通过分析相关相结构与等效电路模拟，系统探讨了CNT含量对CNT/PEK-C/BD复合材料介电性能影响的机理。⑵通过调节预聚温度，实现了 PEK-C/BD相结构的调控。以135℃预聚条件下的相结构为聚合物基体，制备了一系列CNT/PEK-C/BD复合材料。随着CNT含量的递增，CNT/PEK-C/BD复合材料具有迥异的介电常数；同时，当CNT含量低于fc时，介电损耗处于极低范围内（低于0.005）。100Hz下，0.63CNT/PEK-C/BD复合材料的介电常数达到最大值（205.5），介电损耗仅为0.0038，近似PEK-C/BD树脂的介电损耗（0.0024）。CNT与聚合物间不断增强的极化效应与微电容结构的增加，促进了复合材料介电常数的增加。上述研究结果证明，通过合理调控多相多组分聚合物基体的相结构，可为构筑新型高介电常数聚合物基复合材料提供新的策略。⑶通过调节碳纳米管含量与预聚温度，实现对复合材料内部形貌结构的调控，进而制备具有高介电常数、低介电损耗与低渗流阈值的新型树脂基复合材料。