论文部分内容阅读
本文在全面总结目前太阳电池材料的研究现状和其未来发展趋势的基础上,用超高真空磁控溅射仪制备了SiN/(Si/Ge)x薄膜,并用XRD、SEM、UV-VIS、FTIR、Raman、PL等分析手段研究了薄膜的相结构、微观组织特征及其光性能。首先探讨了衬底温度,溅射功率,反应气压,N2/Ar气体流量比对SiN薄膜的厚度、密度、微观组织结构和光性能的影响规律,确定出薄膜相对最佳工艺参数。在试验所研究的范围内,沉积氮化硅薄膜的最佳工艺参数为:衬底温度为450℃,溅射功率为100W,反应气压为0.5Pa,N2/