【摘 要】
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该论文中,实现了从热载流子向栅注入开始,到产生损伤,引起器件特性退化,直至对器件寿命影响的的物理描述.首先,我们用流函数方程在热载流子向栅注入过程的精确描述方面取得了
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该论文中,实现了从热载流子向栅注入开始,到产生损伤,引起器件特性退化,直至对器件寿命影响的的物理描述.首先,我们用流函数方程在热载流子向栅注入过程的精确描述方面取得了突破.依据"幸运电子"概念,基于我们已创建的沟道和衬底电流的二维分布模型,建立了NMOSFET的电子和空穴栅电流的分布模型. 空穴栅电流的分布模型是基于负纵向场加速的新的发射物理过程建立的.栅电流分布模型是一个解析模型.分析表明,模型揭示了一些粒子向栅发射中的物理过程然后,我们根据所获得的栅电流模型,分析得出了损伤影响的主要因素,从而完成了对损伤产生过程的综合物理描述.我们建立了应力期间和应力后的PMOSFET的损伤电子栅电流模型,经与实验结果的验证证明了模型是与实验数据吻合的.我们还提出了表征损伤程度的特征电压和特征陷阱态密度概念,并首次获得了电子栅电流衰减指数的表示式.它们对器件寿命的物理建模是非常重要的和必要的.最后,我们根据所获得的对热载流子注入的精确描述模型和对损伤产生过程的综合物理描述模型完成了器件特性退化量及其相应寿命的物理描述.我们完成了用线性或饱和区中的漏源电流和跨导以及用注入总电荷表征的PMOS器件特性退化量及其相应寿命的物理模型的建立.这些模型均与实验结果所揭示的趋势相吻合.
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