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硅纳米线由于其特殊的纳米尺寸效应在太阳电池及光电器件以及生物化学的探测应用上都有着极为广阔的发展前景。而金属辅助的化学刻蚀方法作为最简便易行的方法之一，由于经济高效的特点和与传统平板太阳电池制备工艺极好的相容性而备受关注。然而基于此方法的机理研究尚未完善，且传统的基于此方法的硅纳米线形貌调控一般都较为昂贵且在调控范围上存在一定的局限性。因此，本论文就完善金属辅助化学刻蚀法的硅纳米线的形貌调控问题和机理研究，进行了系统的研究。在此论文中，我们的主要研究工作有以下两点：1.原有制备流程上加入光照