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新型超导体MgB2的超导转变温度达到了39K,接近BCS理论的极限,介于传统的高温氧化物超导材料和低温超导材料中间。与氧化物高温超导体相比较,MgB2的晶体结构很简单,重复率高,加工过程相对容易,超导电流几乎不受晶界的影响,在制备的过程中可以通过元素掺杂进一步提高它的超导性能。与低温超导材料对比,MgB2超导材料可以工作在小型制冷机可以达到的温度范围内,比低温超导体拥有更广泛的应用空间。由于MgB2超导体具有很好的理论研究价值和应用前景,已经成为目前国际超导技术领域研究的热点之一。本论文介绍了MgB2的基本结构,应用,性质和制备方法,并重点研究了在MgO衬底上制备不同厚度的MgB2超薄膜的性质。本文主要采用的技术为混合物理化学气相沉积法(HPCVD),利用这种方法在SiC衬底和MgO衬底上制备MgB2薄膜。首先研究了在SiC衬底上制备MgB2薄膜时,不同实验参数对MgB2成膜质量的影响,从得到实验数据来分析了制备出高质量的MgB2薄膜的最佳实验室条件。其次,在这个基础上我们在背景气体压强,沉积时间以及载气氢气流量一定的情况下,改变B2H6的流量,在MgO衬底上制备出不同厚度的MgB2超薄膜,并进行测量其超导转变温度TC,临界电流密度Jc等临界参量。分析结构表明,生长的MgB2超薄膜是C轴取向,遵守岛状模式的规律,随着厚度的增加,MgB2超薄膜的临界温度也升高,而剩余电阻率降低。当厚度变大的时候,膜的均匀性和连接性很好。而且外延性比SiC衬底上所制备的MgB2超薄膜更好。其中厚度为20nm的样品在零磁场,当T=5K时,临界电流为而且膜的表面很平整,连接性也较好。这说明在MgO衬底上制备的MgB2超薄膜的性能很好,并预示了其在超导电子器件中广阔的应用前景。此外,本文还总结了MgB2薄膜制备的方法特点以及今后工作的方向。