石墨型氮化碳(g-C3N4)俗称氮取代的石墨，具有堆叠二维片层结构。由于较高的热和化学稳定性，较窄的禁带宽度，新颖的光学和光电化学特性，在催化，能量存储，电化学电池，荧光化学传感器等领域应用前景广泛。由于石墨型氮化碳在可见光区域的光学吸收还不充分，太阳能的利用率相对不高，因此有必要拓展其光学吸收范围，提高石墨型氮化碳的光学吸收率。然而，当前很少有石墨型氮化碳/聚合物复合材料改性禁带宽度的相关研究。此外，石墨型氮化碳还具有其他优异的物理化学性能，其与聚合物复合，改性聚合物的导电，电化学，热稳定性，摩擦学性能，来制备新型石墨型氮化碳复合材料。况且，有关上述石墨型氮化碳复合材料的研究报道也还未出现，所以相关的研究具有非常重要的意义。　　本文以聚吡咯和石墨型氮化碳为原料，通过原位化学氧化聚合法制备了可调控禁带宽度的石墨型氮化碳/聚吡咯复合材料，研究其光学性质和禁带宽度，又以罗丹明B作为虚拟污染物考察其光催化活性。结果表明，石墨型氮化碳/聚吡咯复合材料在可见光区域具有较强的吸收，其禁带宽度随聚吡咯的增加，逐渐减小。另外，复合材料对罗丹明B具有较高的光催化活性，当聚吡咯含量为1 wt％时，对罗丹明B的降解率达到88％，降解速率常数是石墨型氮化碳的2.52倍。光致发光光谱揭示，引入聚吡咯，可有效减少电子空穴对的复合。　　本文还利用原位化学氧化聚合法制备了聚吡咯/石墨型氮化碳复合材料，考察不同石墨型氮化碳的含量对聚吡咯/石墨型氮化碳复合材料的导电和电化学性能的影响。结果表明，随着石墨型氮化碳含量的增加，电导率呈现先增大后减小的趋势，当石墨型氮化碳含量达到15 wt％时，复合材料的电导率达到最大值(1.85S·cm-1)。电化学测试结果揭示出复合材料具有良好的氧化还原可逆性，当石墨型氮化碳含量为50 wt％时，比电容是纯聚吡咯(58.56 Fg-1)的2.58倍。　　本文另以聚酰亚胺和石墨型氮化碳为反应原料，首次尝试热模压成型法制备聚酰亚胺/石墨型氮化碳复合材料，利用热重和摩擦学实验考察复合材料的热稳定性和摩擦学性能。研究表明，石墨型氮化碳有效提高了聚酰亚胺的热稳定性，30 wt％的聚酰亚胺/石墨型氮化碳复合材料表现出较好的摩擦学性能。