全光缓存器能够在光域内对数据包进行缓存,解决数据包在节点的冲突问题,将会成为全光网的重要组成部分。本文提出了一种新型可擦写的全光缓存器,该缓存器在原有双环结构缓存器(Dual-loop optical buffer,DLOB)结构的基础上,引入了双-SOA(半导体光放大器,semiconductor optical amplifier)结构。此种结构的优点是:1、可以利用不同的控制光来完成信号的“写入/读出”控制。由于信号光在缓存器中环行时会发生功率的变化,将会导致其对“读出”控制光的功率的要求发生变化,而此种结构的缓存器可以单独地调节“写入/读出”控制光的功率,很好地解决了这个问题。2、双SOA结构的引入,使得信号从耦合器的不同端口“写入/读出”缓存器。解决了采用同一端口“写入/读出”信号光时存在的串扰问题;同时,有效地克服了由于数据包的”写入”动作而造成的信号光的“泄露”问题。3、在注入信号峰值功率相同的条件下,双SOA结构的采用还可以对信号光实现功率补偿,比利用单个SOA进行“写入/读出”控制延长了缓存时间。本文的主要工作有:1、在电路设计方面,提出了一种针对半导体器件的温度控制电路的设计方案。进行了详细的原理分析,并调试了实验电路。通过拟和方式得到了温控控制电路中采样电路中匹配电阻的确定。在温度误差仅为±0.03℃的同时,极大地简化了运算复杂度。2、提出了一种新型的可擦写结构的全光缓存器,针对其结构特性分析了控制光功率的确定;可缓存包长的限制;最后,理论上分析了此结构缓存器的缓存原理,“漏光”消除原理。3、搭建了全光缓存系统结构,成功进行了2.5Gb/s速率信号的多圈缓存实验,同时证明了理论的正确性。