GaN纳米线和薄膜的制备及其特性研究

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【摘要】

：

GaN是一种宽带隙半导体材料，它具有高电子迁移率、高热导等优异的物理性质。近年来，GaN材料在短波长发光器件、光探测器以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注，发展十分迅速。由于其体单晶难以制备，生长高质量的一维纳米结构和二维薄膜材料是研究开发GaN基器件的基础。本文对GaN纳米线和GaN薄膜的合成、显微结构以及物性进行了系统研究。主要结果如下：1、在两端开口的管式炉中，以氧化

【作者】

：

王非

【机构】

：

太原理工大学

【发表日期】

：

2007年01期

【关键词】

：

GaN纳米线 GaN薄膜 VLS机理 VS机理

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