【摘 要】
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该文以SiC、AlO为原料,外加少量添加剂,采用干压成型,在气氛保护下,在真空炉中烧结,制备SiC电嘴半导体材料,用D/max-A型X射线衍射分析仪和JSM-35C型扫描电子显微镜研究材料显
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该文以SiC、Al<,2>O<,3>为原料,外加少量添加剂,采用干压成型,在气氛保护下,在真空炉中烧结,制备SiC电嘴半导体材料,用D/max-A型X射线衍射分析仪和JSM-35C型扫描电子显微镜研究材料显微结构变化,并对电嘴半导体材料制备工艺及电性能进行了研究.主要结论如下:(1)在原有电嘴半导体材料的基础上,提高了组分中SiC的含量,研究了SiC含 量、粒度以及烧结温度、烧结气氛对电嘴半导体材料放电电压的影响;(2)对影响半导体电 嘴放电电压的因素进行了研究;(3)通过研究温度对电嘴放电电压的影响以及电嘴的工作过 程,提出了半导体电嘴新的放电机理:由于半导体材料结构的不均匀性,在有外加电压的情况下,电嘴半导体表面电流分布不均匀,引起电场畸变,导致材料表面击穿形成放电.该文的研究结果对于SiC电嘴半导体材料的组分设计、制备工艺及性能控制提供依据.
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