自1966年人们在铌酸锂晶体内发现光折变效应以来,基于光折变效应的应用研究就取得了迅猛的发展。基于光折变晶体平面光波导写入技术更是光折变晶体研究与应用所取得众多令人瞩目的成果之一。利用传统的平面光波导制备工艺可以获得结构精细的表面光波导,但是传统光波导制备工艺面临着巨大的瓶颈:它需要经过诸多繁杂的制作工艺流程,因此制作周期冗长,制备成本很高。然而用光辐照法基于光折变晶体平面光波导写入技术却能轻松地克服这些缺点,该技术有着工艺流程简便、制备成本低廉、制成收益颇高等优点。本文研究了如何在光折变晶体铌酸锂中写入平面光波导,论文的主要内容如下:1)铌酸锂晶体的光折变效应是本文的理论基础,首先本文对光折变效应的定义与特点做出说明,并介绍光致折射率改变产生的物理流程。此外重点阐明光折变过程的动力学方程(即带运输模型),最后说明了铌酸锂晶体内光致电荷场的变化过程。2)调制强度呈周期性变化的结构光场是本文重点之一,本文用532nm绿光激光调制菲涅尔双光束干涉场,并用探讨调制干涉场时光源S的位置,讨论双棱镜两种放置方式对调制结构光场的影响,最后测量激光光源的波长以验证所调制光场的正确性。3)若环境光过强会干扰干涉场的写入,因此选取暗室环境对铌酸锂晶体进行平面波导的写入。方法是将铌酸锂晶体样品置于用波长532nm、功率20mW的双光束干涉场中曝光15min~30min进行平面光波导的写入。4)对已写入铌酸锂晶体样品的平面光波导的特性进行测量:基于切片干涉法的原理测量晶体样品的折射率分布情况,然后用632 nm的激光直射晶体样品测其波导周期,之后对晶体进行导光测试,最后是测试不同掺杂的铌酸锂晶体的抗光损伤能力。