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该文所研究的低压低功耗CMOS工艺模块主要有以下几个方面:栅氧化层厚度变化、PMOS管工作机理变化、电源电压与阈值电压的优化. 栅氧化层厚度的试验选择了90A和120A两种厚度,使用标准CMOS工艺进行了虚拟制造和工艺流水.标准CMOS工艺中,PMOS管是埋沟工作的.表面沟工艺还需要解决P型多晶和N型多晶的互连问题,该文采用了硅化钛来解决这个问题.分析了硅化钛工艺中的问题,改进了该部分工艺的方案.