多铁BiFeO3薄膜的制备及性能研究

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【摘要】

：

FeRAM器件利用了铁电材料剩余极化双稳态的特点,与传统的EEPROM和FLASH挥发性存储器相比,非挥发性铁电存储器(FeRAM)具有抗辐射、低功耗、快速读写操作、低操作电压等优异特性,从而更适合嵌入式应用的要求。铁酸铋BiFeO3(BFO)是一种新型的多铁电性的铁电材料,BiFeO3同时具有长程电有序和磁有序,铁电和铁磁共存的性质对研制新型的存储器意义重大。本论文对BiFeO3铁电薄膜材料进行

【作者】

：

饶伟

【机构】

：

华中科技大学

【发表日期】

：

2007年06期

【关键词】

：

铁电存储器 BiFeO3薄膜固相反应磁控溅射铁电性能

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