半导体氧化物材料被广泛用作涂层填料,赋予涂层优异功能特性如导热性,耐紫外线性,防污性等。然而,半导体填料可能存在的腐蚀促进隐患问题却通常被人们忽略。当涂层破损之后半导体填料与金属基体直接接触,可能诱发半导体填料与金属基体间的“微电偶腐蚀”并加剧金属基体的腐蚀,因此在涂层缺陷处,半导体填料可能对金属基体的腐蚀行为具有显著的影响。目前对于半导体填料是否会对金属造成腐蚀促进效应的思考与研究还十分缺乏。本论文以半导体加速金属基体腐蚀这一问题为出发点,研究了所制备的半导体涂层失效之后的电化学性能,深入分析了半导体填料对金属基体的腐蚀行为的影响及其机理,并旨在给出半导体填料的选择依据和抑制腐蚀促进活性途径。主要研究内容和结果如下:（1）研究了不同类型半导体填料对金属基体腐蚀行为的影响及其机理。选择了具有代表性的n型半导体填料TiO₂,Fe₂O₃和p型半导体填料Cu₂O,制成涂层后系统地考察了这三种半导体对金属腐蚀行为的影响。电化学测试发现,TiO₂、Fe₂O₃具有对金属的腐蚀促进活性,而Cu₂O对金属基体的腐蚀行为没有影响。半导体填料腐蚀促进活性的强弱从根本上取决于电子从金属传递到填料的难易程度及填料上发生阴极还原反应消耗电子的速率两个因素,因此基于金属与半导体填料间的功函数差和填料的氧还原反应活性这两个影响因素提出了半导体填料腐蚀促进活性的机理。（2）研究了TiO₂填料不同相结构对金属基体腐蚀行为的影响及其机理。制备了不同晶型、晶面TiO₂,研究了同一半导体的不同晶型、晶面对于腐蚀促进活性的影响。研究发现,金红石型TiO₂对金属基体没有影响,而锐钛矿型TiO₂能够加速金属基体的腐蚀,而且001面暴露在外的锐钛矿型TiO₂具有更高的腐蚀促进活性。从功函数差和半导体填料的氧还原反应活性两个方面验证了腐蚀促进活性的机理。