研究飞秒激光对Si3N4晶体损伤的理论,既能提供飞秒脉冲在晶体中的微加工领域的理论支持,又能推广飞秒脉冲在各种领域内的应用前景。同时反过来又能分析、完善飞秒激光与Si3N4晶体相互作用的机制。本文利用含时微扰论并结合能态论对飞秒激光与Si3N4晶体相互作用的理论进行推导,其主要工作有：首先,由于飞秒激光的脉冲宽度极短,所以在论述飞秒脉冲与Si3N1晶体相互作用时,主要讨论其非线性过程,同时对这一过程进行了理论分析。而在分析价带电子的激发时,也确定了与价带电子及局域态电子吸收系数的相关模型。其次,利用定态Boltzmann方程与含时微扰理论等推导了导带电子数密度随时间、能量变化的偏微分方程和电子弛豫时间,即晶格从一个平衡态到另一平衡态所需要的时间。结合单个电子态的变化,以此修正晶格本征态的变化。因为其热效应主要取决于晶格振动。而这有助于考虑相邻脉冲时的情况,同时调整适当的脉冲间隔从而不同于长脉冲的情况；最后,对能态密度进行球面波近似,以此为基础对Si3N4晶体的导带电子数密度随时间、能量变化的方程进行简化。