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卷积神经网络模型在钢铁工人血脂异常风险评估中的应用
【出 处】
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华北理工大学
【发表日期】
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2021年01期
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该文采用脉冲激光制膜法(PLD)在LaALO衬底上制备了BiLaTiO(x=1)薄膜。对薄膜进行X射线衍射分析表面其在衬底上实现了外延生长，外延生长的薄膜具有铁电特性。
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作者们利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜。通过光致发光(PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响。作者们发现相对高的NH流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量。
利用改造的国产GSMBE系统和NH-MBE技术，在C面蓝宝石上外延出了高质量的GaN材料，其室温电子迁移率达300cm/Vs，相应的背景电子浓度为2x10cm。X射线(0002)衍射摇摆曲线半高宽为6 arcmin。在此基础上外延的GaN/AIN极化感应二维电子气材料室温和低温(77K)的电子迁移率分别达到670cm/Vs和1700cm/Vs。