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作为第三代半导体材料之一,ZnO由于其很高的宽禁宽度和激子束缚能,在高性能半导体器件上具有很高的应用价值,受到广泛关注。ZnO宽禁带的特点使其近带边发射在紫外波段,因此成为紫外激光器、LED的理想候选材料。但是由于ZnO在制备过程中不可避免的会引入各种杂质以及形成各种晶格缺陷,使ZnO材料除了紫外波段的近带边发光,还有位于可见光波段的光致发光。如何提高紫外发光效率,减小缺陷杂质发光的干扰,成为ZnO材料应用于紫外激光器、LED等器件制造迫切需要解决的问题。目前已有工作表明,金属纳米粒子可以增强ZnO近带边发光,但是对其机理的研究还有待完善,本论文工作将通过实验研究Al纳米粒子对ZnO薄膜光致发光特性的影响,并且结合时域有限差分法研究Al纳米粒子的局域表面等离基元共振特性,对Al纳米粒子影响ZnO光致发光特性的机理进行深入探讨。首先,利用磁控溅射技术在石英基底上生长ZnO薄膜,通过实验测量其吸收谱研究ZnO薄膜的能带结构,确定禁带宽度,再通过研究ZnO薄膜的光致发光特性确定其近带边发光的波长。之后,运用时域有限差分法研究Al纳米粒子粒径和局域表面等离激元的关系,确定出局域表面等离激元共振波长等于ZnO薄膜近带边发射波长的Al纳米粒子直径。利用磁控溅射技术在ZnO薄膜上生长Al纳米粒子,通过测量ZnO薄膜/Al纳米粒子复合结构的光致发光谱,研究Al纳米粒子对ZnO光致发光特性的影响,结果表明当Al纳米粒子存在时,ZnO近带边发光得到显著增强。最后深入讨论了Al纳米粒子影响ZnO光致发光特性的机理。介绍了目前两种主要的机理解释——电子转移理论和激子-局域表面等离激元耦合理论,并且设计实验对电子转移理论进行验证:通过引入Al2O3薄膜阻断ZnO和Al纳米粒子之间的电子转移,研究ZnO薄膜/Al2O3薄膜/Al纳米粒子的光致发光特性。结果表明在没有电子转移存在的条件下,ZnO近带边发射-缺陷杂质发射光强比仍然得到增强,这样一来,可以认为电子转移并非Al纳米粒子增强ZnO近带边发光的主要原因。通过研究Al纳米粒子散射和吸收的关系,结合实验结论,对激子-局域表面等离激元耦合过程进行了深入的探讨,提出了可能的完整的耦合过程,对进一步的理论研究及器件制造有积极的指导作用。