共振荧光问题在量子光学领域占据着十分重要的地位，其中，荧光谱的分裂现象对于研究四波混频问题有着重要的意义，同时，对荧光谱窄化问题的研究可以帮助我们更好地认识原子的结构及原子在自发辐射过程中所产生的相干作用。本文主要研究了双模腔场中的Ⅴ型三能级原子荧光谱内边峰的分裂变窄情况，并与相同条件下原子在经典场中的荧光谱做了一定对比。为了使反映的物理图像更为清晰，我们采用了缀饰态的方法。比较发现，腔场的衰减系数，原子与腔的耦合系数以及原子与驱动场的失谐量与腔中原子荧光谱的内边峰的分裂与变窄现象有着密切的关系。其中，腔衰减系数能够控制腔中原子荧光谱内边峰的分裂;原子与腔场耦合系数的增加会使得荧光谱的内边峰线宽逐渐变小，峰值逐渐变大;调节原子与驱动场的失谐，使其等于驱动场的拉比频率时，原子与腔场的耦合系数的改变不会对内边峰的线宽与峰值产生影响，而当失谐取值与拉比频率相接近时，内边峰将会出现峰值极大，线宽极小的现象，而在相同条件下，在经典驱动场中的原子荧光谱内边峰均无分裂与变窄现象产生。