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GaAs太阳能电池具有光电转换效率高、抗辐照性能好、高温性能好等优点，在广泛利用太阳能方面，有着很好的发展前景。本论文利用MBE技术制备了InAs/GaAs量子点太阳能电池，重点讨论了量子点太阳能电池中量子点尺寸不同的情况下，对于光谱吸收特性的影响。 本文研究了InAs量子点的生长条件，优化了生长温度、沉积厚度等生长参数。量子点的尺寸和密度主要与生长温度和InAs沉积厚度有关。通过引入Sb表面活化剂进行实验，获得了优化的生长条件。我们优化了制备尺寸不同、密度相近的两种量子点的生长条件，并将其应用于InAs/GaAs量子点太阳能电池的制备中。实验结果显示，与不含量子点的电池相比，量子点太阳能电池的短路电流有所提高。通过改变量子点的尺寸，实现了材料光谱响应范围的拓展，达到1.26μm，并增加了光吸收。实验结果对高效率量子点电池的设计和制备有重要作用。