SnS、PbS薄膜的制备及其敏化TiO2太阳能电池的性能研究

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窄带隙的Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体由于其良好的光电效应被广泛应用于太阳能电池中。其中SnS的直接带隙为1.3eV,对可见光有很好的吸收,理论光电转换效率高;PbS具有较窄的直接带隙0.41eV和较大的玻尔激子半径18nm,其量子点由于限域效应可拓宽光吸收范围,两者均可作为量子点敏化太阳能电池中的敏化剂。本文以硫化铵为硫源,乙二醇甲醚和正丁醇为阳离子前驱体溶剂,以硝酸铅为铅源,以氯化亚锡为锡源,采用原位法制备SnS、PbS量子点薄膜,通过控制制备工艺的各个参数,考察了阳离子前驱体溶剂的组成、阴离子溶液的浓度
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