【摘 要】
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多年来在集成电路中广泛使用的TiSi已难于适应深亚微米集成电路尺寸微细化的发展趋势,所以研究TiSi和CoSi等替代材料成为近年来的热点之一.该研究工作采用离子束溅射技术和快
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多年来在集成电路中广泛使用的TiSi<,2>已难于适应深亚微米集成电路尺寸微细化的发展趋势,所以研究TiSi和CoSi<,2>等替代材料成为近年来的热点之一.该研究工作采用离子束溅射技术和快速热退火多层薄膜固相反应的方法,系统地研究了Co-Ni系硅化物的固相反应和外延生长的机理和特点.在Si(100)衬底上,成功地制备了热稳定性增强的Ni(Pt)Si膜、NiSi<,2>外延膜(Co-Ni)Si<,2>外延膜和CoSi<,2>外延膜,用XRD、AES、RBS和TEM等测试技术进行了表征和分析,对多层薄膜固相反应及中间层调制硅化物/硅质外延机制进行了探讨.
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