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1963年，M.Pope等人首先发现了四苯掺杂蒽晶在外加高电压的情况下产生了微弱的发光，从而揭开了有机电子学的序幕。1986到1987年，美国柯达公司的C.W.Tang提出了有机太阳能电池(OPV)和有机发光二级管(OLED)的概念;二十世纪九十年代，美国加州大学圣巴巴拉分校的A.J.Heeger等人首次利用有机半导体制作出了柔性半导体器件。有机半导体在近20年里取得了长足的发展与进步。在有机半导体的发展过程中，无疑新型有机半导体材料的研发是推动这一领域前进最为主要的源动力之一。 本文研究了PFCxTh-DCN等聚芴类有机半导体材料，通过对这种新型材料的光学性能和电学性能的表征，研究了其作为功能层的电致发光器件和光伏器件的性能。利用旋涂方法制备了以PFCxTh-DCN为发光层的聚合物电致发光器件，器件结构为ITO/PEDOT∶PSS/PFCxTh-DCN/Al，研究了退火对PFCxTh-DCN材料性能的影响。实验发现:聚合物薄膜经过120℃退火10 min处理后，其启亮电压有所降低，发光功率基本与未退火器件一致。对于PFCxTh-DCN材料退火后出现的发光肩峰进行了分析，得出退火后出现的530 nm的发光肩峰是由于材料分解产生了芴酮缺陷所导致。通过对比实验数据和理论分析，给出了通过加长芴基9号位取代基团的长度及不进行退火处理增加PFCxTh-DCN材料的光谱稳定性。通过制备聚芴类窄带隙新材料的电致发光器件，并进行添加剂DIO的掺杂，制各了体异质结太阳能电池。当掺杂质量比为3％时得到最佳的性能，短路电流密度2.6 mA/cm2，开路电压为0.77V。最佳的能量转换效率达到1.1％。主要归因于掺杂的颗粒对可见光的散射增强了器件对于可见光的吸收，通过掺杂改善了有源层内微观结构使有源层的互穿网格形貌更好形成，从而更利于激子的解离与载流子传输。