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记忆电阻器是具有记忆功能的非线性无源二端口器件,是继电阻、电容和电感的第四种基本电路元器件。本文研究忆阻器电路的混沌现象及其混沌同步。用忆阻器替换蔡氏对偶混沌电路的非线性元件,构造出一个基于忆阻器的蔡氏对偶振荡电路,通过理论分析、数值模拟分析的方法,证明了该电路有丰富的混沌动力学行为；忆阻器参数取不同的初值,可以实现相轨迹从周期、混沌、收缩到定点的转换。广义记忆元件具有更广泛性,其包含忆阻器、忆容器和忆感器。本文提出一种广义记忆元件模型,并用数值仿真、电路设计实现的方法,实证了该模型的记忆元件特性；