BCN薄膜的脉冲激光沉积与成分控制

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【摘要】

：

本文采用两种靶源(B4C靶,BN／C拼合靶),利用脉冲激光沉积技术在单晶Si基片上制备BCN薄膜,系统研究了沉积工艺、退火条件和靶源形式对其沉积速率、表面形貌、键结构和组分的影响,以期通过工艺控制获得成分可控、组分变化范围宽的BCN系列薄膜材料,满足特定性能对BCN薄膜指定组分的要求,拓宽其应用范围。首先,以B4C靶材为靶源,通过改变脉冲激光能量密度(1-6 J／cm2),氮气压力(0-15 Pa

【作者】

：

杨琼

【机构】

：

武汉理工大学

【发表日期】

：

2010年01期

【关键词】

：

BCN薄膜脉冲激光沉积键结构组分控制

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