阻性随机存储器i(阻性存储器)同时结合了Flash的高密度和DRAM的快速和耐用性特点,另外还具有低能耗、转换速度快、微缩特性优异(10nm以下)等突出优势,成为下一代存储技术的代表之一。硅基阻性存储器因为制作简单,可靠性高,与当前的CMOS工艺相容等特点得到了广泛关注。本文研究了Ag/a-silicon/p-silicon, Ag/SixC 1-x/p-silicon两种结构阻性存储器的变阻特性及其状态转换机制。本文首先对半导体存储器的发展及研究现状予以介绍,简单分析了各种类型半导体存储器的优缺点及其应用范围,介绍了阻性存储器及相关的几种导通机制。接着介绍了阻变式非易失性存储器(阻性存储器)的主要性能参数,器件的制作过程,I-V特性曲线,傅里叶红外光谱(FTIR),电化学阻抗谱等分析手段。最后对两种器件分别进行讨论,根据I-V特性曲线set/reset过程缓变的特性,提出器件的状态转换过程与细丝型导电通道的建立无关,而是渗流通道的建立过程。两类硅基阻性存储器结构都表现了稳定的双极特性,有较高的关断比,可靠性高。与此同时,渗流模型的提出,是对阻性存储器器件机理研究的有益补充。