【摘 要】
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本文采用射频磁控溅射的方法制备了FeCuNbSiB薄膜，研究了FeCuNbSiB薄膜的晶化过程以及在晶化过程中导致的磁矩空间重取向的变化，对其多层膜巨磁阻抗效应做了较为详细的研究，主要结果如下： 1．用X射线衍射谱(XRD)研究FeCuNbSiB薄膜的晶化过程，发现FeCuNbSiB薄膜样品在400℃退火温度下，开始成核晶化，在510℃退火温度下开始出现bcc的(220)、(221)衍射峰。
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本文采用射频磁控溅射的方法制备了FeCuNbSiB薄膜，研究了FeCuNbSiB薄膜的晶化过程以及在晶化过程中导致的磁矩空间重取向的变化，对其多层膜巨磁阻抗效应做了较为详细的研究，主要结果如下： 1．用X射线衍射谱(XRD)研究FeCuNbSiB薄膜的晶化过程，发现FeCuNbSiB薄膜样品在400℃退火温度下，开始成核晶化，在510℃退火温度下开始出现bcc的(220)、(221)衍射峰。退火温度在510～570℃之间，纳米晶粒的平均尺寸约为10～20nm。
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