纳米材料特别是纳米半导体材料被认为是二十一世纪材料科学中最重要的一员。由于它具有优异的光学、磁学、电学等性质，在介观研究和纳米器件方面已经成为当前研究的热点。因此如何有效地制备和控制不同形状及尺寸的半导体纳米材料是近些年来很多研究人员探索的重要课题。　　 在本论文中，首先发展了一种相对简单重复性很好的方法，即：采用成本低廉的十四酸(MA)作为其中的一种配体，与三辛基氧化磷(TOPO)协同作用，在高的单体浓度下，通过调整十四酸与三辛基氧化磷的配比得到不同长径比的、尺寸分布较均一的CdSe和CdTe纳米棒。并且在合成纳米棒的基础上，对实验进行一定的改进，合成了尺寸和形貌可控的多臂的CdTe纳米棒，主要为四臂的纳米棒，多臂的纳米棒是由立方相的晶核与外延生长的六方相的臂组成。我们发现，将合成的多臂CdTe纳米棒经过两次洗涤离心处理后，用甲苯稀释后滴到铜网上，经过一段时间，随着甲苯溶剂的挥发，有一部分组装成纳米线，对纳米线的形成和生长提出了一个可能的机理，认为配体的分布不均、配体的减少、纳米粒间强的偶极-偶极相互作用是形成纳米线的主要驱动力。　　 采用水热法，通过控制不同的反应条件制备了不同尺寸的PbSe纳米粒子、纳米棒及纳米线。在实验中以含巯基的配体(巯基乙酸、巯基丙酸、半胱氨酸)作为表面稳定剂，通过使用不同配体来控制纳米晶的形貌和尺寸，根据配位能力的不同，解释了纳米晶形貌演变的机理，溶液中单体浓度是主要的决定因素。合成的纳米晶的结晶度很高，且尺寸大部分在硒化铅的玻尔直径以内，有利于进一步对量子尺寸效应的研究。这对于合成其他IV-VI族半导体(如：PbS和PbTe)提供了一个切实可行的途径。　　 利用嵌段共聚物微相分离产生的有序相结构作为模板，利用化学键及物理吸附作用，提供了一利，在室温条件下在甲醇溶液中利用环状和棒状三嵌段共聚物P4VP-b-PS-P4VP的外壳作为模板，合成组装ZnS、CdS、HgS、CdTe等半导体纳米粒子的新途径。这里P4VP既是稳定剂又是模板剂。固定Zn2+:S2-的摩尔比为2:1，通过调整Zn2+:P4VP的摩尔比，得到了ZnS纳米晶在棒状和环状高分子模板上不同的分布情况，合成组装的ZnS纳米晶为闪锌矿结构(立方相结构)的单晶，并可以通过调节CdTe纳米粒子的尺寸，得到不同发射波长的纳米复合物。　　 使用紫外—可见吸收光谱法、荧光光谱法、广角X—射线衍射法、透射电子显微镜法及X—光电子能谱法等手段对上述所制得的纳米晶进行了表征。