现代通信技术的高速发展对微波器件性能的要求不断提高。微波介质陶瓷作为微波器件的关键材料,探寻陶瓷新体系、优化其性能以及降低烧结温度已成为研究热点。Li₃Mg₂NbO₆陶瓷是近年来发现的一种新型的低介低损耗微波介质材料,但是因其本身具有较高的烧结温度、较低的Q×f值以及较大的负τ_f值使得Li₃Mg₂NbO₆陶瓷并不能满足微波器件的实际应用要求。本文通过Mg²⁺和Nb⁵⁺离子置换的方法来调控Li₃Mg₂NbO₆陶瓷的晶体结构,改善烧结特性以及优化其微波介电性能。并在此基础上,引入低熔点化合物、玻璃和复合烧结助剂降低Li₃(Mg_0.96Ca_0.04)₂NbO₆陶瓷的烧结温度,研究了烧结助剂对陶瓷的烧结特性、物相组成、微观形貌以及微波介电性能的影响。1.采用A²⁺(Ca²⁺,Mn²⁺,Ni²⁺,Co²⁺)置换Mg²⁺以改善Li₃Mg₂NbO₆陶瓷的微波介电性能。研究表明,A²⁺置换Mg²⁺后,形成了Li₃(Mg_1-x-x A_x)₂NbO₆固溶体,均改善了陶瓷的烧结特性和微波介电性能。采用克莫方程计算的Li₃(Mg_1-xA_x)₂NbO₆陶瓷的实际离子极化率可以与其理论离子极化率符合得很好。同时研究发现Li₃(Mg_1-xA_x)₂NbO₆陶瓷的孔隙校正介电常数ε_pc值是决定其谐振频率温度系数τ_f值的一个主要因素,并且推导出了Li₃Mg₂NbO₆系陶瓷的τ_f与ε_pc之间的数学关系式。（a）、当Ca²⁺、Mn²⁺、Co²⁺置换Mg²⁺后,其晶胞体积与x值呈正比关系,陶瓷的实际离子极化率与理论离子极化率都随着x值的增加而增大。当x=0.04时,Li₃(Mg_0.96Ca_0.04)₂NbO₆陶瓷在1140^o C烧结时具有较高的Q×f值122,082 GHz;当x=0.02时,Li₃(Mg_0.98Mn_0.02)₂NbO₆陶瓷在1125^oC烧结时具有近零的τ_f值-4.57ppm/^oC和较大的Q×f值110,582 GHz;当x=0.06时,Li₃(Mg_0.94Co_0.06)₂NbO₆陶瓷在1150^oC烧结时具有最小的τ_f值为-1.04 ppm/^oC。（b）、当Ni²⁺置换Mg²⁺时,其晶胞体积与x值呈反比关系,陶瓷的实际离子极化率与理论离子极化率都随着x值的增加而减小。当x=0.04时,Li₃(Mg_0.96Ni_0.04)₂NbO₆陶瓷在1175^oC烧结时具有最大的Q×f值126,784 GHz和近零的τ_f值-2.63 ppm/^oC。2.采用B⁵⁺(Ta⁵⁺,Sb⁵⁺)置换Nb⁵⁺以改善Li₃Mg₂NbO₆陶瓷的微波介电性能。研究表明,B⁵⁺置换Nb⁵⁺后,均形成了Li₃Mg₂(Nb_1-xB_x)O₆固溶体,其晶胞体积与x值呈反比关系,而理论离子极化率与实际离子极化率都随着x值的增加而增大。并且陶瓷的τ_f值和ε_pc值都随着x值的增加而表现出了相似的变化趋势。（a）、当x=0.02时,Li₃Mg₂(Nb_0.98Ta_0.02)O₆陶瓷在1150^oC烧结时具有较高的Q×f值110,443GHz;（b）、当x=0.06时,Li₃Mg₂(Nb_0.94Sb_0.06)O₆陶瓷在1150^oC烧结的Q×f值为95,487 GHz。3.采用LiF,Li₂O-B₂O₃-Bi₂O₃-SiO₂（LBBS）,Bi₂O₃,BaCu（B₂O₅）（BCB）作为烧结助剂实现Li₃(Mg_0.96Ca_0.04)₂NbO₆陶瓷的低温烧结,系统地研究了掺杂后陶瓷的烧结特性,微观形貌以及微波介电性能的变化规律。研究表明,四种烧结助剂均能有效地降低Li₃(Mg_0.96Ca_0.04)₂NbO₆陶瓷的烧结温度,但只有LiF在降低陶瓷烧结温度的同时还能保持较好的微波介电性能。当添加6wt.%LiF时,Li₃(Mg_0.96Ca_0.04)₂NbO₆陶瓷在900^oC烧结时具有最优异的微波介电性能:ε_r?15.85,Q×f?98,012 GHz,τ_f?-28.6 ppm/^oC。